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スマートフォンや電気自動車などの高度化が進み、電子材料には長寿命と高性能が同時に要求されています。
微細化トレンドが進む半導体では、数ナノメートル単位の欠陥が即座にデバイス故障を招くため、信頼性確保は企業競争力の核心になっています。
さらにIoT機器の爆発的普及で、極端な温度変化や振動環境下でも安定動作する材料が必要とされています。
環境規制の強化も進み、鉛やハロゲンフリーなどのグリーン要求が信頼性設計を一段と複雑にしています。
トランジスタ寸法の微細化は配線抵抗の増大やエレクトロマイグレーションのリスクを高めます。
銅配線の上に形成されるバリアメタル層の欠陥や界面反応が信頼性を大きく左右します。
材料表面の原子一層レベルの粗さ制御が必要となり、高精度化学プロセスが欠かせません。
車載ECUでは150℃以上の高温環境下で一万時間以上の動作が要求されます。
高温下での拡散現象や金属間化合物の生成を抑制するため、半田材料やバンプ材料の組成最適化が行われています。
無加圧リフローや低温接合技術によって熱ストレスを低減し、基板のクラックを防止する研究が進んでいます。
材料選定では熱膨張係数、熱伝導率、電気特性のバランスが重視されます。
高分子材料の場合、架橋度と残留応力がモジュール信頼性に直結します。
無機材料では絶縁破壊強度と誘電率の最適化が鍵となります。
ゲート絶縁膜にHfO₂などの高誘電率材料を導入するとリーク電流を抑制できます。
一方で界面欠陥密度が増大しやすく、熱アニール条件の最適化が不可欠です。
プラズマ窒化処理で界面反応を抑え、信頼性を確保する手法が一般化しています。
Sn-Ag-Cu系はんだは鉛フリーの主流ですが、Ag₃Sn析出物が脆性破壊を誘発します。
微量添加元素のBiやInを用いて、微細組織を制御し衝撃強度を向上させる研究が進展しています。
フォトリソグラフィのEUV化に伴い、レジスト材料の感度と解像度を両立させる化学設計が求められています。
イオン注入では高ドーズ・低エネルギー領域のプロセス制御が微細なpn接合形成の鍵です。
原子層堆積(ALD)は一原子層単位で膜厚を制御でき、ゲートスタックやコンタクト層で不可欠になりました。
フッ素系ガスに加え、BrやClを含む混合ガスを用いることで側壁のテーパ角を最適化できます。
ラジカルとイオンの比率制御が選択率とダメージ低減を同時に達成します。
界面活性剤を利用した超音波洗浄でパーティクル除去率を99%以上に高められます。
酸化膜の薄膜化には希フッ酸系のバッファードエッチャントが用いられ、1Å/秒以下の精度で除去可能です。
3D NAND向けに高アスペクト比の穴あけエッチングが求められ、ハイブリッドプラズマ源が採用されています。
反応性を持つラジカルと方向性のあるイオンビームを独立制御し、縦方向の異方性と側壁保護を両立しています。
従来の鉛フリーはんだに替わり、250℃以下で接合できる銀ナノ粒子ペーストが注目されています。
還元雰囲気下で焼結し、ボイド率を1%未満に抑えることで、熱伝導率200W/mK超の接合が可能になりました。
ディープラーニングを用いたSEM画像解析で、欠陥分類を従来比10倍高速化できます。
データ駆動型トラブルシューティングにより、歩留まり向上と開発期間短縮を同時に実現しています。
Design for Reliability(DFR)手法では、回路設計段階で熱シミュレーションや応力解析を実施します。
製造段階ではSPC(Statistical Process Control)を導入し、リアルタイムでプロセス変動を監視します。
材料情報をPLMシステムに統合することで、部材変更時の影響を迅速に評価できます。
原材料メーカーと共同でインライン分析データを共有し、品質トラブルを未然に防止します。
QRコードによるロットトレーサビリティで、不良発生時のリコール範囲を最小化できます。
量子コンピュータやパワー半導体向けに、SiCやGaNなど新材料の信頼性評価手法が急務です。
高周波領域では寄生容量や誘電損失を抑える材料開発が不可欠になります。
持続可能性の観点から、有機溶媒を用いないドライプロセス化や、再生可能化学品の利用が期待されます。
デジタルツインとマルチフィジックスシミュレーションを組み合わせ、設計段階で故障モードを予測する技術が普及すると見込まれます。
電子材料の信頼性向上と高精度化学プロセスの革新は、デバイス性能だけでなく環境負荷削減にも直結します。
企業・研究機関・サプライヤーが連携し、材料科学とプロセス工学の境界を越えた取り組みを進めることで、新たな市場価値を創出できるでしょう。

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